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低價格，用于研究開發
RTP-6型的待測試樣6英寸基板，并且價格低，用于研究開發領域的裝置。RTP-6裝置對于硅半導體，化合物半導體等，在試驗過程中，具有氣氛可變，高速加熱，高速冷卻的功能。本裝置是*適合在研發過程中，手動操作。
●特長
1. | 急速加熱 |
2. | 金屬加熱是由冷卻水進行冷卻，可進行急速冷卻控制。 |
3. | 加熱爐有9個獨立的溫度控制區，具有良好的溫度分布和再現性 |
4. | 氣氛可控 真空排氣系統；選擇部件 |
5. | 氣體可置換 真空排氣系統；選擇部件 |
6. | PC計算機進行數據管理。 |
7. | 裝有石英防融板加化加熱室的安全性。 |
●技術指標
均熱精度 | RT～1000℃（高溫計可測范圍 400～1200℃） |
被 加 熱 物 | 標準6英寸集成電路板 1塊（4.5英寸集成電路板也可選擇） |
氣 氛 | 標準 氣體、氣體流動中、大気中（真空也可選擇） |
加 熱 方 式 | 用放物面反射紅外線爐來加熱上部的面 |
加熱速度 | 使用附帶Sic碳素導線 10℃／sec |
均熱精度 | 使用附帶Sic碳素導線 △t=10℃ 保持800℃ N2氣體 |
溫度傳感器 | JIS K型熱電偶（插入附帶Sic碳素導線方式） |
控制方式 | 閉環控制 |
熱排氣 | 旋轉式鼓風機排氣方式 |
電源 | AC200V 25.4KVA 3φ |
安全項目 | 冷卻水量，熱電偶斷線，漏電，異常停機，加熱室內過壓 |
