紅外線燈管加熱裝置 RTA系列

（用于半導體材料及電子材料）

半導體器件的集成化，高密度化，熱處理由過去的一個元件工藝處理，到至今的多元件連續工藝處理，以是現在我們所研究的課題。我社常年所培育的紅外線金面反射爐的快速加熱技術，從研究開發到生產制作為一體的科研和生產體制充分體現于多式樣連續化熱處理的紅外線燈管加熱裝置RTA系列的商品化。式樣尺寸為450mm～4200mm。從硅片到化合物，在細微的技術方面我們都會滿足用戶的需求。

●用途

注入離子后的活性化退火。
氧化薄膜生成退火。
歐姆電極的燒結。
PZT, SBT等強誘導體薄膜的結晶化退火。
發光素子，半導體激光基板的退火。

●特長

加熱氣氛為真空，氣體，流動氣體，大氣。
爐壁是由金面構成，可同時進行高速加熱和高速冷卻。
由紅外線燈管組成9個獨立加熱區，分析可以調節加熱功率，具有良好
的溫度分布。
適用于450mm～4200mm尺寸的半導體基板。
配有防止氧化所產生試樣卷曲的功能。選擇

●技術指標