導波雷達發出的高頻微波脈沖沿著探測組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測介質，由于介電常數突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發射脈沖與反射脈沖的時間間隔與被測介質的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質，當上面一層的介質介電常數較小，而下面的介質介電常數較大時，高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時，由于其介電常數較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質繼續向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質的介電常數較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面，其測量條件是上層介質不導電或其介電常數比下層介質介電常數小10以上。

特點
由于采用了的微處理器和獨特的EchoDiscovery回波處理技術，導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式，使得GDGW5X系列導波雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如：高溫、高壓及小介電常數介質等。
采用脈沖工作方式，導波雷達物位計發射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內，對人體及環境均無傷害。 
特　　征：　　　　全四氟密封天線，耐強酸堿腐蝕。
應　　用：　　　　量程較短的酸堿罐體。
量程：　　　　6m
測量精度：　　　　±10mm
過程連接：　　　　PTFE法蘭
探測組件材料：　　PTFE
鋼棒直徑：　　　　Φ10mm
過程溫度：　　　　-40…150°C
過程壓力：　　　　-1.0…16bar
信號輸出：　　　　兩線制 4…20mA/HART
 
詳細介紹：
GDGW52
許可證       
P   標準型（非防爆）
I   本安型（Exia IIC T6）
C   本安型+船用許可證（Exia IIC T6）
G   本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）
探測組件型式/材料
A   棒式/PTFE
過程連接/材料
GP  法蘭  DN50   PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
NP  法蘭  DN80   PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
EP  法蘭  DN100  PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
FP  法蘭  DN150  PN1.6 不銹鋼316L（GB/T9119-2000）
YP  特殊制定 
過程溫度
A  （-40～150）℃
電子組件
B   （4～20）mA/HART兩線制
C   （4～20）mA/（22.8～26.4）V DC /HART兩線/四線制
D   （198～242）V AC/HART四線制
外殼/防護等級（注）
A   鋁/IP67
B   塑料/IP66
D   鋁兩腔/IP67
G   不銹鋼316L/IP67
電纜進線
M   M20x1.5
N   ?NPT
現場顯示/編程
A  帶
X  不帶
纜（棒）長
4位數字（單位:mm）
注: 本安型（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“A”型外殼；本安+船用許可證（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“G”型外殼；本安+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）只限用“C”“D”電子組件及“D”型外殼; 標配法蘭大小參照GB/T9119-2000 PN1.6MPa尺寸,厚度為15

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