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“金貴”的第三代半導體材料，封裝過程中降低“受損率”至關重要
點擊次數：172 發布時間：2021/3/29
半導體封裝是一套非常復雜的流程，支撐起了全球龐大的產業鏈條，這個鏈條上的每一環都有著細致的分工和嚴苛的要求，封裝形式和封裝技術也非常多，且在不斷迭代當中。
籠統來講，封裝技術就是將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。
而集成電路則是將具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及布線全部集成在一小塊硅片上，再封裝在一個管殼內所形成的微型結構。 當今半導體工業大多數應用的都是基于硅（Si）和鍺（Ge）的集成電路，硅（Si）和鍺（Ge）也就是我們所說的代半導體材料。
隨著終端市場需求的不斷升級，如今半導體材料已經發展到了第三代，第四代也已在研究當中，雖然現在還未得到廣泛應用，但對下游產業鏈的發展有著積極的導向作用
第三代半導體材料的應用難點
1.成本高
SiC成本高昂，同等規格的SiC器件比硅器件單個管芯的價格要高3-5倍。盡管SiC在晶圓上的尺寸可以做到很小，平均下來可降低一定的成本，但總體來說還是更貴。
2.易碎
SiC是一種天然超晶格，十分易碎，制備難度相對較大。雖然目前SiC襯底制造技術已經達到8英寸水平，但要突破更大尺寸的生產，提高生產良率，依然是個難題。
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